Polprevodna dioda - električna naprava s p-n-stičišča, ki imajo nelinearni tok napetosti značilnost. Naprava se uporablja za tekoče popravek, del mostov različnih vrst. Polprevodniški dioda vezje je navedeno na temno (manj pregledno) trikotnika z vrhom in pravokotno funkcijo na katodi (n-regija).
Osnovni pojmi in definicije
Z je polprevodniška dioda sprejeta na več razredov, pravilno opredelila kot ločen družine. To varicap, Zener diode, LED, in tako naprej. Splošno postane prisotnost enega samega p-n-križišča. Tube usmerniške diode se imenujejo tudi. V zvezi s tem in se uporablja polprevodnikov pridevek opozoriti na prisotnost p-n-križišča.
električni diode
Diode so cenjene za poudarjenimi rektifikacijo lastnosti. Sedanji teče skozi p-n-prehod v eni smeri, ki rešuje najrazličnejše tehničnih problemov. Masa se uporablja odpravljanja lastnosti polprevodnikov in integriranih vezij, vključno s kristali. Čeprav so izdelani procesorji za večino del na podlago tranzistorji vključeni gledati kot dveh polprevodniške diode naprej. Redundanca je utemeljena s poenotenjem tehnološkega cikla.
Odpravljanje lastnosti polprevodniških diod so prikazani na primeru bakrenega sulfida. To ni težko prebrati v zgodovinskih informacij spodaj. Poleg tega so polprevodniške diode, ki temelji na fizičnih mineralnih nekovin IV, V in VI skupin Različne oksidi, zlitin iz organskih barvil (LED uporabljajo za določen razred snovi).
Zgodovina razvoja polprevodniške tehnologije
Prvi "kristalov" diode
V nasprotju s skupnim prepričanja so že dolgo znane odpravljanje lastnosti kovinskih polprevodnikov (Schottky diode). Na splošno polprevodniška tehnologija se je začela razvijati z Skoke in meje po drugi svetovni vojni. Vzroki nesreče:
- V vojni, je večina držav vodil raziskave na področju novih tehnologij. Na primer, sem bil rojen in je takoj hranijo skrivnost tranzistor. Kot tudi, da je prvi operacijski ojačevalnik se uporablja za pogon z neprebojnimi obrambni sistem, anti-letala. Ta izum se lahko uporablja za prikaz svetlobo, so prva dela na omenjenem območju izvaja na začetku 30-ih letih XX stoletja.
- Približno 10 let pred izbruhom druge svetovne vojne, večina držav pojavil v okviru prihodnjih dogodkov. Ni presenetljivo, da smo ohranili informacije tajne priljubljenih.
- Če vzamemo v obzir fašistični Nemčiji, njena vlada zaradi dolgo gojiti sovraštva noče komunicirati z drugimi evropskimi silami. Ob tej priložnosti je bil izid prve svetovne vojne.
Uporaba diode
Tako je polprevodniška tehnologija se je začela razvijati v razmerah novonastalih Združenih narodov, da se zagotovi mir v deželi, ter je prejel svojo listino. Odpravljanje lastnosti polprevodnikov so vidne nemščina znanstvenik Karl Ferdinand Braun, Spravi se na s parom Marconi Nobelovo nagrado za razvoj brezžičnega telegrafa (radio) v 1909. Na žalost, ni nobene možnosti, da bi našli zaposlitev prevajanje "über die Stromleitung durch Schwefelmetalle», ki je objavljen v reviji Annalen der Physik und Chemie leta 1874 pod številko 153.
Dve leti prej, marca 1872, Karl doktoriral za svoje delo na področju vibracijskega niza. Potem pa še na Univerzi v Berlinu. Znanstveni direktor dela, Georg Quinckejev, je bila dodeljena Würzburgu, in tako sledi, kjer je poudarek na prevodnost materiala. Objavljeno poročilo o prehodu toka skozi raztopljenih soli in popravlja lastnosti plasti plina z različnimi prevodnost. Sprva pritegnila svinčenih soli, Carl Braun dosegel končno bakra sulfid.
23. november 1874 glede na funkcijo dela za razpravo o umetnih in naravnih vzorcev materiala z vidika električne prevodnosti. Izbrana pokazala razlika v odpornosti odvisno od smeri, je 30%. To je bilo ugotovljeno, da je v eni smeri prevodnosti vzorca je odvisna od trenutne moči toka, merjeno z galvanometer. Tako smo odkrili in nelinearni materialne lastnosti, zdaj razstavljen jih polprevodniških diod. Hkrati je učinek odvisen od načina uporabe kovinskih elektrod, kar kaže anizotropije Zaznali lastnosti.
V tistem času se je štelo, nerazložljivo zgodi, opazili rezultat v nasprotju znanih znanstvenih dejstev. Danes je znano, da je kovinsko-polprevodnik odpravljanje lastnosti na nivoju p-n-stičišča. Razlika je v tem, da je prvi padec napetosti manj. V skladu s tem so polprevodniški Schottky diode uporabljajo kot usmernikov v izhodnih stopnjah napajalnikov. V omenjenem časovnem Werner Siemens odkril enostranske prevodnost selen kristale. Toda Brown dodali še eno vrsto materialov, med drugim - psilomelan (manganove rude), ki ustvarja prvi antennal (pika) diode.
Prvi detektor za radio
Brown ideje našel praktične aplikacije Jagadis Chandra Bos, zbrane prvi detektor za radijske frekvence milimeter val Galena (svinec sulfid) in sprejemanje ameriško patentno številko 755,840, vložena 30. september 1901 in odobren v marcu 1904. Bengali znanstvenik poročal o izumu v 1899 s strani Royal Society of England. Že v decembru 1901 je enota uporablja za dešifriranje transatlantskega telegraf prenos Marconi.
Kmalu novi detektorji:
- Patent številka 836531, vložena 20. avgust 1906 Greenleaf Pickard, znan po tem, da je prvič tukaj nanaša na silicijevega kristala (v angleščini. - silikon).
- Henry Dunwoody 23. marec 1906 za namen odpravljanja sedanje uporabe silicijevega karbida (karborund). Material sintetizira najprej in šele kasneje ugotovila, na ruševinah padel meteorit.
Nekaj časa kristalno detektor uporabimo celo dal smer LED v elektroniki, vendar z izumom vakuumske cevi polprevodnikov so šli v ozadje. In tako se je zgodilo, da v povojnih letih. Od začetka 50-ih in začetku tranzistorjev uporabo, in kar je najpomembnejše - germanij polprevodniška tehnologija razvija z Skoke in meje danes.
razlaga je pokazala,
Šele leta 1928, Arnold Sommerfeld in mladi Felix Bloch (Bloch elektroni) je pojasnil, da odprtje Brown s stališča kvantne mehanike. V prvem približku, nova smer znanosti ni težko naučiti iz zabeležk leta 1931 na visoki mehanika elektronov v kristalne rešetke avtor Gronich in Penny iz Groningen Univerza. Rusko govoreči bralci lažje, da se seznanijo z eno-dimenzionalni model gibanja elektronov v periodnem področju, ki je prvič jasno ponazarja naravo pojava energijskih pasov v kristalu.
Izkazalo se je, da je funkcija distribucija energije neprekinjeno. Predstavite dovoljeno območje, ločeno z prepovedana. Danes, v teoriji je znano, da vsak študent šola fizike seveda pa pionirsko vlogo v celoti dana Shockley, da to ni povsem res. Dejstvo je, popolna teorija, ki pa se strinja s prakso, povzel pod polprevodnikov Hans Bethe leta 1942 (nekaj let kasneje znane kolege).
polprevodniška naprava
Hiter razvoj tehnologije polprevodnikov
V povojnih letih, koristi proizvodnji polprevodnikov tehnologije še niso jasni. V začetku 50-ih proizvodnje, ki jih zaseda dve ameriških podjetij:
- Texas Instruments (1951 - namenjen spin-off iz Združenih geofizikalne službe), s 1950 proizvaja polprevodnike tranzistorji, in danes ima vodilno vlogo v proizvodnji elektronskih komponente. Notorious Jack Kilby, izumitelj integriranih vezij, ki delajo v omenjenem podjetju. V času od sredine 50 Texas Instruments je osvojil prvo mesto na področju prometa v proizvodnji polprevodnikov tehnologije.
- Zdaj že propadli podjetje Transitron, ustanovljeno leta 1952, ki ga Leo in David bakalar, ki ga je leta 1955 na nivoju Texas Instruments proizvede več kot tretjina vseh polprevodniških naprav v nekaj letih se je povečala za vrhovi. Matično za Texas Instruments podjetje obstaja od leta 1930, delal v vojni na vladi in užival veliko popularnost. Na 1961 Transitron pomeni promet v višini 40 milijonov evrov. dolarjev. In to je do prve naftne krize! David je bil naveden kot predsednik do leta 1984, je družba prenehala obstajati nekaj let.
Transitron padec se je začela v 60-ih, ko so napačno opustila nove smeri. Govorimo o integriranih vezij. Obeti dobil silicija, čeprav predvsem zaradi slave Nemčiji. Za več informacij o vzrokih za napako in je na voljo v temi o bipolarnih tranzistorjev.
Dodaj v polprevodniške tehnologije zahtevajo tako visoko stopnjo silicija čistosti, da je v času od sredine XX stoletja, proizvodnja je prišel ven zelo drago. Hkrati germanij naprave kažejo manjšo mejno temperaturo (85 stopinj Celzija) in pri pregreta enostavno ne. To je težko razumeti, zakaj Transitron, zavrnil, da vlagajo v inovacije, od sredine 60-ih let se je začela trpeti hude izgube.
Nedavna moč družbe so bili odvzeti iz razvija svoj mikroprocesor, ki ni imela komercialnega uspeha. Mimogrede, germanij, po nekaterih ocenah, bo spet zelo obetaven in je polprevodniški element. Na primer, na osnovi je ustvaril in usmerniki. In ne samo na radiu, pa tudi industrijsko omrežja 50 Hz 220 V, zaradi česar so obetavne, kot zamenjavo obsežnih relejev.
Shockley Polprevodniške diode
Leta 1956 je William Shockley ustanovljena v Palo Alto (Kalifornija), svojega podjetja na Sauf Antonio cesti 391. To je prvo podjetje, ki se ukvarjajo s polprevodniki, na mestu, kjer zdaj stoji znameniti Silicon Valley. Glavni produkt je bil 4-plast dioda, imenovano med strokovnjaki tranzistorja diode ali Shockley diode.
Glede na opremo avtorjev je prišel kot zamenjava klasičnih relejev v komunikacijske industrije. Toda zaradi zapletenosti realizacijo ideje ni bilo na zob tehnologijo časa. Bralci so že mislil, da govorimo o tiristorji z regenerativno odgovor. Tako lahko dioda bo poklical in rekel rezin. Oziroma - Shockley diode.
Sestoji iz 4 dvosmernega tipa prevodnost polprevodniških slojev. Celotno imenovane n-tipa katodo, anodo in nasprotno, kot običajno dioda. Shockley dioda temelji na plazov okvare, so prehodi spet zaklenil po znižanju napetosti, in sistem vrne v prvotno stanje.
nov čas
Če je v zgodnjih 70-ih za proizvodnjo polprevodniških materialov jasno v vodstvu ZDA, na pragu 80-ih, na Japonskem začeli graditi nov zagon. Jugovzhodni Aziji in Evropi so bili zadnji, ki so se pridružili dirki. Danes, štiri omenjena regija približno enako deljena obsega proizvodnje, in, seveda, odejo potegnil čez Kitajskem v prvem desetletju XXI stoletja podvojila obseg izdaje. Po nekaterih napovedih bo Peking 2020 bo polovica svetovne proizvodnje.
